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Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung enthält einen Oxidfilm (9) niedriger Dielektrizitätskonstante als ein anorganischer Oxidfilm, der selektiv auf einem n-Halbleitersubstrat (1) als ein Halbleitersubstrat eines ersten Leitungstypes gebildet ist. Anodenelektroden (5, 6) als Elektrodenschichten sind auf dem n-Halbleitersubstrat (1) so gebildet, dass sie den Oxidfilm (9) niedriger Dielektrizitätskonstante dazwischen einschließen. Der Oxidfilm (9) niedriger Dielektrizitätskonstante ist mit einem Element zum Verringern einer Dielektrizitätskonstante dotiert.
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