| 主权项 |
一种多波长发光模组，其包括：一电路板，其具有至少一输出/输入焊垫；一驱动积体电路结构，其设置于该电路板上，并且该驱动积体电路结构之表面系具有至少一凹槽；一导电结构，其电性连接于该驱动积体电路结构及该至少一输出/输入焊垫之间；一多波长发光二极体阵列组，其容置于该至少一凹槽内；多数个导电元件，其分别电性连接于该驱动积体电路结构及该多波长发光二极体阵列组之间；以及一光放大器结构，其设置于该多波长发光二极体阵列组的上端，以用于接收从该多波长发光二极体阵列组所投射出来之光源；其中，该多波长发光二极体阵列组系具有三个分别具有不同波长之第一波长发光二极体阵列、第二波长发光二极体阵列、及第三波长发光二极体阵列，该第一、第二、第三波长发光二极体阵列系彼此并列，并且该第二波长发光二极体阵列系设置于该第一波长发光二极体阵列及该第三波长发光二极体阵列之间；其中，该驱动积体电路结构的两侧系具有多数个驱动积体电路焊垫，该第一、第二、第三波长发光二极体阵列分别具有多个发光二极体焊垫以及多个发光二极体晶粒，该等发光二极体焊垫是位于该第一、第二、第三波长发光二极体阵列之两侧，该第一波长发光二极体阵列的两侧具有多数个发光二极体焊垫及多数个发光二极体晶粒，该第一波长发光二极体阵列之该等发光二极体晶粒是分别电性连接于该第一波长发光二极体阵列之其中一侧的发光二极体焊垫，该第二波长发光二极体阵列的该等发光二极体晶粒是分别电性连接于该第二波长发光二极体阵列之该等相对应的发光二极体焊垫，并且该第三波长发光二极体阵列的该等发光二极体晶粒是分别电性连接于该第三波长发光二极体阵列之其中一侧的发光二极体焊垫。如申请专利范围第1项所述之多波长发光模组，更进一步包括：一黏着元件，其设置于该多波长发光二极体阵列组与该驱动积体电路结构之间。如申请专利范围第1项所述之多波长发光模组，其中该等导电元件之第一部分系分别电性连接于其中一侧之该等驱动积体电路焊垫与该第一波长发光二极体阵列之其中一侧的该等发光二极体焊垫之间，该等导电元件之第二部分系分别电性连接于该第一波长发光二极体阵列之另一侧的该等发光二极体焊垫与该第二波长发光二极体阵列之其中一侧的该等发光二极体焊垫之间，该等导电元件之第三部分系分别电性连接于该第二波长发光二极体阵列之另一侧的该等发光二极体焊垫与该第三波长发光二极体阵列之其中一侧的该等发光二极体焊垫之间，并且该等导电元件之第四部分系分别电性连接于该第三波长发光二极体阵列之另一侧的该等发光二极体焊垫与另外一侧之该等发光二极体焊垫之间。如申请专利范围第1项所述之多波长发光模组，其中其中位于同一侧之该等驱动积体电路焊垫及位于同一侧之该等发光二极体焊垫皆沿一直线轨迹排列。如申请专利范围第1项所述之多波长发光模组，其中位于同一侧之该等驱动积体电路焊垫以及位于同一侧之该等发光二极体焊垫系沿一锯齿状轨迹排列。如申请专利范围第1项所述之多波长发光模组，其中该等发光二极体阵列之间系形成两个介于5~10微米之第一宽度间隙。如申请专利范围第6项所述之多波长发光模组，其中该多波长发光二极体阵列组与该驱动积体电路结构之间系形成两个介于5~10微米之宽度间隙。如申请专利范围第7项所述之多波长发光模组，更进一步包括：用以覆盖该两个第一宽度间隙及该两个第二宽度间隙之绝缘层。如申请专利范围第1项所述之多波长发光模组，其中该光放大器结构系为一半导体光放大器。如申请专利范围第1项所述之多波长发光模组，其中该光放大器结构系由一用于接收从该多波长发光二极体阵列组所投射出来的光源之光放大器及一设置于该光放大器侧边之反射元件所组成。如申请专利范围第1项所述之多波长发光模组，其中该光放大器结构系为一光纤导管。如申请专利范围第1项所述之多波长发光模组，其中该光放大器结构系为一使得该光源转向之光纤导管。 |
