Ätzprozess zum Einsenken von Polysilizium in Grabenstrukturen einer DRAM-Speicherzelle

摘要

wobei das Verfahren folgendes umfaßt: – Ausbilden eines Grabens in einem Halbleitersubstrat, wobei der Graben ein oberes und unteres Gebiet enthält; – Ausbilden eines Oxidkragens im oberen Gebiet des Grabens; danach – Abscheiden von Polysilizium im Graben; – Auftragen einer ersten Lösung, die NH4OH in Wasser umfasst, auf das Polysilizium; – Ätzen eines Teils des Polysiliziums mit der ersten Lösung, um das Polysilizium auf eine gewünschte Form und Größe einzusenken; – Abscheiden von SiN im oberen Gebiet des Grabens nach dem Ätzen des Teils des Polysiliziums mit der ersten Lösung; – Ätzen eines Teils des SiN in einem Boden des oberen Gebiets; – Auftragen einer zweiten Lösung aus NH4OH in Wasser auf das Polysilizium; – Ätzendes Polysiliziums mit der zweiten Lösung, um einen zweiten Teil des Polysiliziums im unteren Gebiet des Grabens zu entfernen, wodurch das...