发明名称 |
Rückseitenkontaktierte Solarzelle mit unstrukturierter Absorberschicht |
摘要 |
Rückseitenkontaktierte Solarzellen weisen keine Abschattungsverluste auf. Die erforderlichen Strukturierungsmaßnahmen schädigen aber bei Homo-Kontaktierungen die Grenzfläche der Absorberschicht, die gut passiviert sein muss. Die erfindungsgemäße Solarzelle (01) weist nur Hetero-Kontaktierungen (14, 17) auf. Die dotierte Absorberschicht (02) ist durch eine ganzflächige intrinsisch leitfähige Passivierungsschicht (15) gut passiviert und völlig unstrukturiert. Auf der intrinsisch leitfähigen Passivierungsschicht (15) sind ein Kontaktgitter (08), ein dazu kongruentes Isolationsgitter (09), eine Emitterschicht (07) und eine Kontaktfläche (13) angeordnet. Zur Unterstützung der Ladungsträgerableitung besteht die intrinsisch leitfähige Passivierschicht (15) aus einem Material mit einer hohen, zur Dotierung der Absorberschicht (02) entgegengesetzten Oberflächenladung. Weiterhin sind eine unterstützende Potenzialbarriere zwischen der intrinsisch leitfähigen Passivierschicht (15) und dem Kontaktgitter (08) sowie eine ausreichende Überdeckungsbreite (L) im Sinne einer Überdeckung der Kontaktelemente (11) des Kontaktgitters (08) von Isolationselementen (18) des Isolationsgitters (09) zur Vermeidung innerer Zellkurzschlüsse vorgesehen. Durch die völlige Unstrukturiertheit der Absorberschicht (02) und deren ausschließliche Hetero-Kontaktierung (14, 17) kann eine hohe Effizienz bei der Stromgewinnung erreicht werden. |
申请公布号 |
DE102010007695(A1) |
申请公布日期 |
2011.08.11 |
申请号 |
DE20101007695 |
申请日期 |
2010.02.09 |
申请人 |
HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUER MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH |
发明人 |
STANGL, ROLF, DR.;KORTE, LARS, DR. |
分类号 |
H01L31/0747 |
主分类号 |
H01L31/0747 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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