MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE SYSTEM

摘要

Die Erfindung betrifft eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage (600) mit einer Beleuchtungseinrichtung (601) und einem Projektionsobjektiv (602), wobei die Beleuchtungseinrichtung (601) im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (602) eine Objektebene OP des Projektionsobjektivs beleuchtet und das Projektionsobjektiv diese Objektebene auf eine Bildebene (W) abbildet, wobei die Beleuchtung der Objektebene mit linear polarisiertem Licht erfolgt, dessen Wellenlänge kleiner als 15 Nanometer (nm) ist, und wobei das Projektionsobjektiv wenigstens eine Pupille (110, 210, 310, 410, 510) aufweist, wobei wenigstens eine Begrenzungslinie dieser Pupille eine von einer Kreisform abweichende Geometrie aufweist.