| 发明名称 | 半导体元件、封装结构、及半导体元件的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种半导体元件、封装结构、及半导体元件的形成方法，本发明实施例的半导体元件中提供的焊料凸块，位于焊盘区上并电性连接至焊盘区。此外，形成金属盖层于至少部分的焊料凸块上。金属盖层的熔点高于焊料凸块的熔点。本发明实施例中，金属盖层可作为硬停元件，使封装完成后的凸块结构维持一致的高度，可减少甚至避免短路或桥接等问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102148201A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201110031174.0 | 申请日期 | 2011.01.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 萧义理;余振华;郑心圃;董志航;魏程昶 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括：一半导体基板；一焊盘区位于该半导体基板上；一焊料凸块位于该焊盘区上并电性连接至该焊盘区；以及一金属盖层位于至少部分该焊料凸块上；其中该金属盖层的熔点高于该焊料凸块的熔点。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||