发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
本发明提供一种发光器件。发光器件包括:导电支撑构件;导电支撑构件上的发光结构,发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层;以及发光结构上的电极。发光结构包括在发光结构的上部分上注入氧气的氧气注入区域。电极包括第一区域和第一区域上的第二区域,并且第一区域的氧气浓度高于第二区域的氧气浓度。 |
申请公布号 |
CN102148307A |
申请公布日期 |
2011.08.10 |
申请号 |
CN201110036993.4 |
申请日期 |
2011.02.10 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
朴炯兆;曹贤敬 |
分类号 |
H01L33/36(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/36(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件,包括:导电支撑构件;所述导电支撑构件上的发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层;以及所述发光结构上的电极,其中所述发光结构包括在所述发光结构的上部分上注入氧气的氧气注入区域,以及其中所述电极包括第一区域和所述第一区域上的第二区域,并且所述第一区域的氧气浓度高于所述第二区域的氧气浓度。 |
地址 |
韩国首尔 |