| 发明名称 | 光刻胶去除剂组合物以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻胶去除剂组合物、以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法。该光刻胶去除剂组合物包括约50WT％至约70WT％的二乙二醇丁醚、约20WT％至约40WT％的烷基吡咯烷酮、约1WT％至约10WT％的有机胺化合物、约1WT％至约5WT％的氨基丙基吗啉、以及约0.01WT％至约0.5WT％的巯基化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1904742B | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN200610103511.1 | 申请日期 | 2006.07.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴弘植;金时烈;郑钟铉;申原硕 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李伟 |
| 主权项 | 一种光刻胶去除剂组合物，包括：浓度在50WT％至70WT％之间的二乙二醇丁醚；浓度在20WT％至40WT％之间的烷基吡咯烷酮；浓度在1WT％至10WT％之间的有机胺化合物；浓度在1WT％至5WT％之间的氨基丙基吗啉；以及浓度在0.01WT％至0.5WT％之间的巯基化合物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||