半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件。本发明旨在减少其中提供有半导体器件的保护电路的面积，本发明的半导体器件具有第一导电型阱、在阱中形成的多个第一扩散层、在阱中形成中的多个第二扩散层以及在阱中形成的扩散电阻层，其中，第一扩散层具有第二导电型，并且被彼此并行地连接至半导体器件的输入/输出端；第二扩散层与多个第一扩散层交替地设置，并且被连接至电源或地；扩散电阻层具有第二导电型，并且位于与多个第二扩散层中的任何一个邻近；该扩散电阻层被连接至半导体器件的输入/输出端，同时与第一扩散层并行地设置，并且连接内部电路和半导体器件的输入/输出端。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电型阱；在所述阱中形成的多个第一扩散层，具有第二导电型，并且连接至信号输入/输出端；在所述阱中形成的多个第二扩散层，与所述多个第一扩散层交替地设置，并且连接至电源或地；以及在所述阱中形成的扩散电阻层，具有第二导电型，位于与所述多个第二扩散层中的任何一个邻近，连接至所述输入/输出端，并且连接内部电路和所述输入/输出端，所述半导体器件还包括：第一接触，允许通过其在连接至所述输入/输出端的互连与所述扩散电阻层之间进行连接；第二接触，允许通过其在连接至所述内部电路的互连与所述扩散电阻层之间进行连接；以及硅化物层，在所述扩散电阻层的表面部分中形成，分别位于所述第一接触和所述第二接触的下方，同时彼此隔离。