| 发明名称 | 薄膜晶体管、其制造方法、显示单元和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法、包括该薄膜晶体管的显示单元和电子装置。该薄膜晶体管包括：栅极电极；一对源极/漏极电极；第一氧化物半导体层，其设于所述栅极电极和所述一对源极/漏极电极之间，所述第一氧化物半导体层形成沟道；及第二氧化物半导体层，其设于所述第一氧化物半导体层的所述一对源极/漏极电极侧上，所述第二氧化物半导体层的极性不同于所述第一氧化物半导体层的极性。根据本发明，能够实现容易控制阈值电压的薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN102148258A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201110000942.6 | 申请日期 | 2011.01.05 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 谷口理 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其包括：栅极电极；一对源极/漏极电极；第一氧化物半导体层，其设于所述栅极电极和所述一对源极/漏极电极之间，所述第一氧化物半导体层形成沟道；及第二氧化物半导体层，其设于所述第一氧化物半导体层的所述一对源极/漏极电极侧上，所述第二氧化物半导体层的极性不同于所述第一氧化物半导体层的极性。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||