一种制备高频软磁薄膜的方法及装置

摘要

本发明公开一种在位制备高频特性可调的软磁薄膜的方法及装置。本发明的方法所采用的是现有技术的射频磁控溅射法，但在进行溅射磁性金属材料的同时，还在基片上溅射少量的非磁性金属材料。本发明中溅射到基片上的非磁性金属与磁性金属之原子百分比为3～20。本发明所使用装置除溅射靶外，其余与现有的射频溅射装置完全相同，本发明所采用的溅射靶材为复合靶。

主权项

一种制备软磁薄膜的方法，采用射频磁控溅射法，在基片上溅射FeCo或Co的磁性金属靶材的同时还在基片上溅射少许Zr或Nb或Hf或Ta或Ti或V中的任一种或任几种的组合的非磁性金属材料，其中溅射到基片上的非磁性金属与溅射的磁性金属之原子百分比为3～20，其特征在于对制品材料的截止频率进行控制的方法是在进行溅射时，改变靶中心到基片中心的连线与靶法线的夹角，从而得到具有不同截止频率的磁性薄膜材料。