| 发明名称 | 本征MOS晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种本征MOS晶体管及其形成方法，所述本征MOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅介质层和栅电极，所述栅电极一侧的半导体衬底为源区，另一侧的半导体衬底为漏区；对所述源区和漏区进行第一离子注入，在所述半导体衬底内直接形成源极和漏极；对所述栅电极进行第二离子注入，所述第二离子注入的离子类型与所述第一离子注入的离子类型相反。本发明提高了本征MOS晶体管的阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102148245A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201010111103.7 | 申请日期 | 2010.02.10 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 黎坡 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种本征MOS晶体管，包括：半导体衬底；栅介质层，形成于所述半导体衬底上；栅电极，形成于所述栅介质层上；源极和漏极，分别直接形成于所述栅电极两侧的半导体衬底内；其特征在于，所述栅电极的掺杂类型与源极和漏极的掺杂类型相反。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||