| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有柔软性的薄型半导体器件。本发明的半导体器件的制造方法之一包括如下步骤：在衬底的一方表面中形成槽；形成包括元件的元件层，元件被配置在所述槽内；从所述衬底的另一方表面使所述衬底变薄一直到所述元件层的一方表面露出，以形成具有所述元件的被转置层；将所述被转置层转置到所述薄膜上。 | ||
| 申请公布号 | CN1959962B | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN200610143292.X | 申请日期 | 2006.11.03 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 鹤目卓也 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 浦柏明;梁永 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在衬底的一方表面中形成槽；形成包括元件的元件层，所述元件被配置在所述槽内；从所述衬底的另一方表面使所述衬底变薄一直到所述元件层的表面露出，以形成包括所述元件的被转置层；以及将所述被转置层转置到薄膜上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||