发明名称 一种空间用抗电离辐照有源光纤
摘要 本发明涉及一种空间用抗电离辐照有源光纤,包括有源纤芯、内包层、外包层和涂覆层,有源纤芯的材料中包含有源活性离子和共掺杂剂的二氧化硅,其中有源活性离子为原子序数为57~71的稀土元素的卤化物或氧化物的一种或者多种,共掺杂剂为锗、磷、铝、氟的化合物的一种或多种,所述有源纤芯的材料中掺杂有铈的化合物,其掺杂浓度为2000~10000ppm,内包层的材料中也可掺杂有铈或氟,铈离子掺杂浓度为0~8000ppm,氟离子掺杂浓度为0~1000ppm。本发明所述的抗电离辐照有源光纤在纤芯中掺杂铈,经过试验验证可以极大提高有源光纤的抗辐照特性,解决了当前有源光纤在辐照环境中使用受限问题。
申请公布号 CN102147496A 申请公布日期 2011.08.10
申请号 CN201110071167.3 申请日期 2011.03.23
申请人 华中科技大学 发明人 戴能利;盛于邦;李海清;李进延;彭景刚;蒋作文;杨旅云;陈瑰;张泽学
分类号 G02B6/036(2006.01)I;G02B6/02(2006.01)I 主分类号 G02B6/036(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 朱仁玲
主权项 一种空间用抗电离辐照有源光纤,包括有源纤芯、内包层、外包层和涂覆层,有源纤芯的材料中包含有源活性离子和共掺杂剂的二氧化硅,其中有源活性离子为原子序数为57~71的稀土元素的卤化物或氧化物的一种或者多种,共掺杂剂为锗的化合物、磷的化合物、铝的化合物、氟的化合物其中的一种或多种,其特征在于,所述有源纤芯的材料中掺杂有铈的化合物。
地址 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号