发明名称 |
可堆栈式封装结构的制造方法 |
摘要 |
本发明关于一种可堆栈式封装结构的制造方法。该制造方法包括以下步骤:(a)提供一第一载体;(b)设置至少一芯片于该第一载体上;(c)形成一封胶体以包覆该芯片;(d)移除该第一载体;(e)形成一第一重布层及至少一第一凸块;(f)提供一第二载体;(g)设置于该第二载体;(h)移除部分该芯片及部分该封胶体;(i)形成一第二重布层;及(j)移除该第二载体。藉此,该第二重布层使该可堆栈式封装结构在应用上有较多弹性。 |
申请公布号 |
CN102148167A |
申请公布日期 |
2011.08.10 |
申请号 |
CN201010119472.0 |
申请日期 |
2010.02.08 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
余国宠;王盟仁 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍 |
主权项 |
一种可堆栈式封装结构的制造方法,包括:(a)提供一第一载体,该第一载体具有一表面;(b)设置至少一芯片于该第一载体的表面,该芯片包括一第一表面、一第二表面、一主动线路层及至少一导电孔,该主动线路层位于该芯片内,且显露于该第二表面,该导电孔位于该芯片内,且连接至该主动线路层;(c)形成一封胶体于该第一载体的表面,以包覆该芯片,该封胶体包括一表面,该表面附着于该第一载体的表面;(d)移除该第一载体,以显露该芯片的第二表面及该封胶体的表面;(e)形成一第一重布层及至少一第一凸块,该第一重布层位于该芯片的第二表面及该封胶体的表面,且通过该主动线路层电性连接至该导电孔,该第一凸块位于该第一重布层上,且通过该第一重布层电性连接至该主动线路层及该导电孔;(f)提供一第二载体;(g)将该第一重布层的一表面设置于该第二载体;(h)移除部分该芯片及部分该封胶体,以显露该导电孔于该芯片的第一表面,而形成一穿导孔;(i)形成一第二重布层于该芯片的第一表面,且电性连接至该穿导孔;及(j)移除该第二载体。 |
地址 |
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 |