自对准沟槽的形成方法

摘要

本发明涉及半导体装置的形成方法，其包含形成自对准沟槽，其中使用第一组沟槽(300)来对准第二组沟槽(302)。本文所教示的方法可用作间距加倍技术，且因此可提高装置整合度。另外，通过使用极薄CMP终止层(211)并使周围材料凹陷与所述CMP终止层(211)的厚度大致相等的量可在所述装置的表面上提供改善的平坦性。

主权项

一种形成装置的方法，所述方法包括：在衬底上形成多晶硅层；在所述衬底中形成第一组沟槽，其中所述多晶硅层的剩余部分保留于所述衬底上在所述第一组的沟槽间的沟槽间区域中；使用填充剂材料填充所述第一组沟槽，其中所述填充剂材料向上至少延伸到毗邻所述多晶硅层的所述剩余部分的水平；从所述沟槽间区域选择性蚀刻所述多晶硅层的所述剩余部分；在所述沟槽间区域中的所述填充剂材料的侧壁上形成间隔层；及在所述衬底中在所述间隔层间蚀刻出第二组沟槽。