发明名称 成膜装置、成膜方法和半导体装置
摘要 本发明提供一种成膜装置(1),具有:负载涂布对象物(W)的平台(2),使平台(2)在水平面内旋转的旋转机构(3),在平台(2)上负载的涂布对象物(W)上的规定区域中涂布材料而形成涂布膜(M)的涂布部(4),产生能溶解涂布膜(M)的溶剂蒸气的供气部(5),对在平台(2)上负载的涂布对象物(W)上的涂布膜(M)喷吹由供气部(5)产生的溶剂蒸气的喷吹部(6),控制由喷吹部(6)喷吹的上述溶剂蒸气量,使其为能溶解涂布膜(M)、涂布膜(M)的表层侧部分的粘度比涂布对象物(W)侧部分的粘度低的量的控制部(9)。
申请公布号 CN102150234A 申请公布日期 2011.08.10
申请号 CN200980135993.0 申请日期 2009.11.05
申请人 株式会社东芝 发明人 佐藤强;近藤弘康;樱井直明;添田胜之;大城健一;木村修一
分类号 H01L21/027(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I 主分类号 H01L21/027(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 钟晶;李昆岐
主权项 一种成膜装置,其特征在于,具有:负载涂布对象物的平台,在上述平台上负载的上述涂布对象物上的规定区域中涂布材料而形成涂布膜的涂布部,产生能溶解上述涂布膜的溶剂蒸气的供气部,对在上述平台上负载的上述涂布对象物上的上述涂布膜喷吹由上述供气部产生的上述溶剂蒸气的喷吹部,控制由上述喷吹部喷吹的上述溶剂蒸气量,使其为能溶解上述涂布膜、上述涂布膜的表层侧部分的粘度比上述涂布对象物侧部分的粘度低的量的控制部。
地址 日本东京都