| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置。存在该场板下的绝缘膜成为晶片工艺时的台阶差的问题。本发明的半导体装置具备在作为第一导电型的半导体衬底的n型半导体衬底(1)上选择性地形成的作为无机氧化膜的低相对介电常数氧化膜(9)以及在n型半导体衬底(1)上夹持低相对介电常数氧化膜(9)所形成的作为电极层的阳极电极(5)以及阳极电极(6)，低相对介电常数氧化膜(9)掺杂有使相对介电常数降低的元素。 | ||
| 申请公布号 | CN102148235A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201010530648.1 | 申请日期 | 2010.10.29 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 本田成人 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：无机氧化膜，选择性地形成在第一导电型的半导体衬底上；电极层，在所述半导体衬底上以夹持所述无机酸化膜的方式形成，所述无机氧化膜掺杂有使相对介电常数降低的元素。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||