薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和液晶显示器

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和液晶显示器。该方法中形成有源层、源电极和漏电极的流程包括：形成有源层薄膜和源漏金属薄膜；涂覆光刻胶；曝光显影；进行第一次湿刻，刻蚀掉完全去除区域对应的源漏金属薄膜，且过刻至源漏金属薄膜的边缘凹进于光刻胶图案的边缘；进行第一次干刻，刻蚀掉暴露在光刻胶外的有源层薄膜；灰化去除光刻胶；进行第二次干刻，刻蚀掉部分保留区域对应的源漏金属薄膜；进行第三次干刻，刻蚀掉部分保留区域对应的部分有源层薄膜；去除剩余的光刻胶。本发明通过控制刻蚀时间使得刻蚀的图案能够配合灰化后光刻胶的图案，从而在保证产品质量的基础上简化生产工艺，降低生产成本。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，至少包括在衬底基板上形成有源层、源电极和漏电极的流程，其特征在于，所述形成有源层、源电极和漏电极的流程包括：形成有源层薄膜和源漏金属薄膜；在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶；采用双色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域的光刻胶图案；进行第一次湿刻，刻蚀掉完全去除区域对应的源漏金属薄膜，且过刻至所述源漏金属薄膜的边缘凹进于所述光刻胶图案的边缘；进行第一次干刻，刻蚀掉暴露在光刻胶外的有源层薄膜；按照部分保留区域的厚度灰化去除光刻胶；进行第二次干刻，刻蚀掉部分保留区域对应的源漏金属薄膜；进行第三次干刻，刻蚀掉部分保留区域对应的部分有源层薄膜，形成包括沟道的有源层图案以及源电极和漏电极的图案；去除剩余的光刻胶。