| 发明名称 | 形成互连结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成互连结构的方法，包括步骤：提供一前端器件层；在所述前端器件层上形成一层刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上面形成介电层；在所述介电层的表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成一层抗反射层；在所述抗反射层的表面涂敷一层光刻胶层；采用第一掩膜对所述光刻胶层进行第一次曝光；采用第二掩膜对所述光刻胶层进行第二次曝光；对所述光刻胶层进行显影工艺，形成具有图案的光刻胶层；以所述具有图案的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射层、所述氧化层、所述介电层以及所述刻蚀阻挡层，形成通孔。 | ||
| 申请公布号 | CN102148185A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201010110450.8 | 申请日期 | 2010.02.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;王新鹏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种形成互连结构的方法，包括步骤：提供一前端器件层；在所述前端器件层上形成一层刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上面形成介电层；在所述介电层的表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成一层抗反射层；在所述抗反射层的表面涂敷一层光刻胶层；采用第一掩膜对所述光刻胶层进行第一次曝光；采用第二掩膜对所述光刻胶层进行第二次曝光；对所述光刻胶层进行显影工艺，形成具有图案的光刻胶层；以所述具有图案的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射层、所述氧化层、所述介电层以及所述刻蚀阻挡层，形成通孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||