| 发明名称 | 非晶材料的相变方法 | ||
| 摘要 | 本文公开了一种晶化用于制造薄膜晶体管的非晶材料的方法。该方法包括：在衬底上形成非晶硅层；在所述非晶硅层的一部分上沉积Ni金属层；以及对所述非晶硅层进行热处理以使非晶硅产生相变，其中所述Ni金属层被沉积成具有0.79埃或更小的平均厚度。该方法可使用金属诱导横向晶化同时限制Ni的厚度和密度来晶化用在薄膜晶体管中的非晶材料，从而使薄膜晶体管中的电流泄露最小。 | ||
| 申请公布号 | CN102150255A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN200980135374.1 | 申请日期 | 2009.05.19 |
| 申请人 | 庆熙大学工业与学术合作基金会 | 发明人 | 张震;吴在焕;姜东汉;千峻赫 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种非晶材料的相变方法，包括：在衬底上形成非晶硅层；在所述非晶硅层的一部分上沉积Ni金属层；以及对所述非晶硅层进行热处理以使非晶硅产生相变，其中所述Ni金属层被沉积成具有0.79埃或更小的平均厚度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔市 | ||