| 发明名称 | TFT-LCD阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其包括：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、第一金属薄膜及掺杂半导体薄膜，对既定区域进行构图，形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；沉积半导体薄膜，对既定区域进行构图，形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；沉积绝缘薄膜和第二金属薄膜、对既定区域进行构图，形成包括PAD区域数据线连接孔、栅线、栅电极以及公共电极线的图形；沉积第二透明导电薄膜，对既定区域进行构图，形成包括公共电极的图形。本发明通过四次构图工艺制造了TFT-LCD阵列基板，相比现有技术，减少了工艺数，极大地节省了成本，提高了市场竞争力。 | ||
| 申请公布号 | CN102148196A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201110020248.0 | 申请日期 | 2011.01.18 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 宋泳锡;崔承镇;刘圣烈 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种TFT‑LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤1：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、第一金属薄膜及掺杂半导体薄膜，对既定区域进行构图，形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤2：沉积半导体薄膜，对既定区域进行构图，形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；步骤3：沉积绝缘薄膜和第二金属薄膜、对既定区域进行构图，形成包括PAD区域数据线连接孔、栅线、栅电极以及公共电极线的图形；步骤4、沉积第二透明导电薄膜，对既定区域进行构图，形成包括公共电极的图形。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||