具有页复制功能的半导体存储装置

摘要

一种具有页复制功能的半导体存储装置，用读出/锁存电路读出并锁存从对应于复制源的页地址的存储单元阵列的一页大小的存储单元中读出的数据。该读出/锁存电路有多个锁存电路，这些锁存电路利用列地址进行地址指定。改写用的数据被供给用列地址进行了地址指定的锁存电路，改写用的数据被锁存在该被进行了地址指定的锁存电路中，进行数据的改写。数据改写后的一页大小的数据被写入与复制方的页地址对应的存储单元阵列内的页中。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，包括：包含两页的存储单元阵列；设置成读出存储在上述存储单元阵列的一页中的数据且改写上述读出的数据的一部分并将上述改写的数据写入上述存储单元阵列的另一页中的控制电路；以及包含在上述控制电路中的读出/锁存电路，其中，上述一页中的数据的一部分不同于上述存储单元阵列的另一页中的数据的相应部分，其中，在存储单元阵列的各存储单元中存储的数据按照页的单位进行读出及写入，其中，上述读出/锁存电路包含多个锁存电路，上述读出/锁存电路读出存储在上述存储单元阵列的一页中的上述数据，上述多个锁存电路对存储在上述存储单元阵列的一页中的上述数据进行锁存，并且将被锁存在上述多个锁存电路中的上述所读出的数据改写成改写数据，上述控制电路包含数据I/O电路，该数据I/O电路连接在上述读出/锁存电路上，输出被该读出/锁存电路锁存的数据，并将被供给的写入数据提供给该读出/锁存电路，所述数据I/O电路提供改写数据。