发明名称 |
一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 |
摘要 |
一种提高A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)超导体上临界场和临界电流密度的方法,其特征是,在A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)块材或线带材的先驱粉中添加银粉或铅粉,混合均匀后,将先驱粉压制成块,或填入金属管拉拔轧制成线带材。再将块材或线带材在保护气氛下,经500-1100℃焙烧0.5-100小时,可以得到A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)块材或线带材。本发明有效提高了铁基超导体的上临界场和临界电流密度。 |
申请公布号 |
CN101707089B |
申请公布日期 |
2011.08.10 |
申请号 |
CN200910241919.9 |
申请日期 |
2009.12.15 |
申请人 |
中国科学院电工研究所 |
发明人 |
王雷;马衍伟;齐彦鹏;王栋樑;张志宇;高召顺;张现平 |
分类号 |
H01B13/00(2006.01)I;H01B12/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01B13/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 |
代理人 |
关玲 |
主权项 |
一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法,其特征是:首先将原料A、K、Fe和As,按摩尔比A∶K∶Fe∶As=1‑x∶x∶2∶2称量,A为Ba或Sr,0≤x≤0.5,放入球磨罐或研钵,在氩保护气氛下,将所述原料磨碎并混合均匀,制成先驱粉,或将混合均匀的原料物经500‑1000℃烧结后的熟粉作为先驱粉;再将适量的Ag粉或Pb粉添加到所述的先驱粉中,再次混合均匀,所述的Ag粉或Pb粉与A1‑xKxFe2As2的质量比为0~0.5∶1,其中A为Ba或Sr,0≤x≤0.5;然后将掺有Ag或Pb的先驱粉压制成块,或填入金属管中,进行旋锻、拉拔、轧制、加工得到块材或线材或带材;最后,将加工成型的块材或线材或带材置于真空或氩保护气氛中,在500‑1100℃的温度下烧结0.5‑100小时,得到A1‑xKxFe2As2的块材或线材或带材,A为Ba或Sr,0≤x≤0.5;如果以混合均匀的原料物作为先驱粉,压制成块或填入金属管的过程须在氩保护气氛下进行。 |
地址 |
100080 北京市海淀区中关村北二条6号 |