晶相稳定结构

摘要

本发明提供一种晶相稳定结构。可以通过形成其中仅第一界面层中的一小部分Ni原子由Pt原子置换的结构，从而降低界面能量同时将NiSi和NiSi/Si界面的特性的变化抑制到最小程度来实现上述的界面结构稳定。因此，能够通过NiSi的晶相的稳定有助于元件的成品率的提高或者可靠性的提高。例如，NiSi形成在晶体管中的源漏的表面层上。

主权项

一种晶相稳定结构，其形成在由互相不同的材料制成的两个层的界面中，并且由包括构成所述两个层的所述材料的膜构成，其中，构成所述膜的材料具有多个晶体结构或化学组成；在从与所述两个层中的一个层的所述界面到少于或等于所述膜的深度的1/3的区域中，所述膜具有由未包括在所述两个层中的任一层中的原子以多于或等于10at％的置换比率置换的一小部分原子；并且在所述膜的深度方向上的中间部分处的所述置换比率按原子比率少于或等于所述界面的相邻区域中的所述置换比率的1/3。