一种勋章菊高效快速育苗方法

摘要

本发明公开了一种勋章菊高效快速育苗方法。在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，剪成插穗，每个插穗保留2～5片叶；在渗水性好的框篮或扦插池内中装入厚度为5cm以上的基质并使其充分湿润；将插穗以3～4cm的深度、4～5cm/株的密度插入基质中，用稀释浓度为500～800倍的多菌灵杀菌剂溶液喷洒后移入全日照喷雾装置下任其发根生长；2～3周后移栽于假植钵或泥盆，6周后，即可移入花台建植或地栽，而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。本发明提供的勋章菊育苗方法操作简便，成活率高，育苗期短，培苗成本低；菊苗不仅可以高密度扦插，而且不受季节限制进行室内周年扦插，具有推广应用的前景。

主权项

一种勋章菊育苗方法，其特征在于包括如下顺序的步骤： (1) 4月至11月，在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，选取适当位置剪成插穗，每个插穗保留2～5片叶； (2) 以完全炭化的砻糠或草木灰为扦插基质，扦插基质厚度为5cm以上，将其装入渗水性好的框、篮或盘中做成移动插床，或将其直接装入扦插池内作为固定插床；(3) 对插床上的扦插基质淋水，使其充分湿润；(4) 将插穗插入基质中，扦插深度为3～4cm，密度为4～5cm/株； (5) 插后立即用稀释浓度为500～800倍的多菌灵杀菌剂水溶液喷洒插穗；(6) 10～15分钟后将插穗移入全日照喷雾装置下，任其发根生长；(7) 2～3周后将生根的扦插苗移栽于假植钵或泥盆中；(8) 6周后，假植钵中的扦插苗根系伸出渗水孔时，即可移入花台建植或进行地栽；泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。