| 发明名称 | MOSFET和制造MOSFET的方法 | ||
| 摘要 | 一种MOSFET 1，包括：碳化硅(SiC)衬底(2)，所述碳化硅(SiC)衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21)，所述半导体层(21)形成在SiC衬底(2)的主表面上；和绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与半导体层(21)的表面接触。该MOSFET 1具有不大于0.4V/Decade的亚阈值斜率。 | ||
| 申请公布号 | CN102150271A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201080002563.4 | 申请日期 | 2010.03.23 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 和田圭司;原田真;增田健良;穗永美纱子 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种MOSFET(1，3)，包括：碳化硅衬底(2)，所述碳化硅衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21，31)，所述半导体层(21，31)形成在所述碳化硅衬底(2)的所述主表面上；以及绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与所述半导体层(21，31)的表面相接触，所述MOSFET(1，3)具有不大于0.4V/Decade的亚阈值斜率。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||