发明名称 用于改进密封电子器件中的散热的方法以及密封电子器件
摘要 一种用于改进在通常被称作芯片尺寸的SAW封装的密封电子封装中的散热的方法。该封装包括制作在管芯上的一个或更多声波部件,该管芯布置在通过导电凸点分开的非导电载体上。封装的顶部被叠层和密闭密封层覆盖。通过去除叠层的一部分以及然后在封装上淀积一层导热材料,并且通过提供通过载体的一个或更多导热路径,可以改进散热。
申请公布号 CN101421920B 申请公布日期 2011.08.10
申请号 CN200480040654.1 申请日期 2004.10.15
申请人 诺基亚公司;埃普科斯股份有限公司 发明人 帕西·蒂克卡;埃德加·施米德哈默;哈博·海因策;赖纳·韦尔策;赫伯特·齐德克;安斯加·朔伊费勒;朱阿·埃拉
分类号 H03H9/10(2006.01)I 主分类号 H03H9/10(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 冯谱
主权项 一种用于改进密封电子器件中的散热的方法,所述密封器件的特征在于:载体,具有第一表面和相对的第二表面;多个导电凸点,布置在所述载体的所述第一表面上;多个导电部分,布置在所述载体的所述第二表面上;多个导电路径,提供在所述载体的所述第一表面和所述第二表面之间,用于将所述凸点电连接到所述导电部分;管芯,布置在所述凸点的顶部上,经由所述导电路径和所述凸点,电连接到所述导电部分;叠层,提供在所述管芯的顶部以及所述载体的所述第一表面的至少一部分上;密闭密封层,覆盖所述叠层以及所述载体的所述第一表面的另一部分,所述方法包括:去除在所述管芯的顶部上的所述叠层的一部分,用于提供清除区域;以及在所述清除区域上提供导热层,使得通过所述导热层改进所述密封器件的散热。
地址 芬兰埃斯波