一种单层型或层积型突波吸收器的陶瓷元件材料及这种材料制作突波吸收器的方法

摘要

本发明公开了一种低温烧结突波吸收器的材料，具有以壳结构包覆核结构的微观结构，其中核结构部分是由半导体或导体材料构成，壳结构部分是由具有绝缘特性的材料如氧化物、硅酸盐或硼硅酸盐等陶瓷烧结材料构成，以这种材料制作突波吸收器的过程中，由于是以化学法的方式制作，故产品可以使用较低温度烧结，而且这种突波吸收器的电气特性，可选择从的半导体或导体材料的晶粒大小与特性来决定，或选择从壳结构的绝缘层厚度及绝缘阻抗特性来决定，或选择从突波吸收器的两平行电极间的间距及电极材料的重叠面积来决定。

主权项

一种单层型或层积型突波吸收器的陶瓷元件材料，是经过500～900℃煅烧的粉体，具有以具绝缘特性的壳结构包覆核结构的微观结构，其特征在于，所述的核结构由导体或半导体材料所组成，所述的具绝缘特性的壳结构由硅酸盐玻璃、硼玻璃、磷玻璃或铅玻璃的其中一种所组成，其中，所述壳结构的材料经过500～900℃煅烧转化成玻璃层，并且包覆构成所述核结构的导体或半导体材料的表面。