浅沟槽隔离结构形成方法

摘要

一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层的衬底，所述衬底内形成有浅沟槽；在刻蚀停止层表面和衬垫氧化层表面形成填充所述浅沟槽的隔离介质层；采用反刻掩膜版在所述隔离介质层表面形成第一光刻胶图形；以所述第一光刻胶图形为掩膜，刻蚀部分厚度隔离介质层；去除所述第一光刻胶图形后，采用化学机械抛光工艺去除所述隔离介质层直至暴露出刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层和衬垫氧化层；在所述衬底表面形成覆盖所述隔离介质层的保护薄膜；采用所述反刻掩膜版在所述保护薄膜表面形成第二光刻胶图形；以所述第二光刻胶图形为掩膜，去除保护薄膜至露出衬底，形成保护层。本发明形成的浅沟槽隔离无边沟现象。

主权项

一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层的衬底；依次刻蚀所述衬垫氧化层、刻蚀停止层和衬底，形成浅沟槽；形成覆盖刻蚀停止层表面且填充满浅沟槽的隔离介质层；采用反刻掩膜版在所述隔离介质层表面形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述浅沟槽位置对应；以所述第一光刻胶图形为掩膜，刻蚀部分厚度隔离介质层；去除所述第一光刻胶图形后，采用化学机械抛光工艺去除所述隔离介质层直至暴露出刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层和衬垫氧化层；在所述衬底表面以及浅沟槽内的隔离介质层表面形成保护薄膜；采用所述反刻掩膜版在所述保护薄膜表面形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形与所述浅沟槽位置对应；以所述第二光刻胶图形为掩膜，去除保护薄膜至露出衬底，形成保护层。