基于磁隧道结器件的温度传感器

摘要

本发明公开了一种基于磁隧道结器件的温度传感器，包括MTJ器件、PMOS器件和模拟开关，PMOS器件的源极接电源，漏极与MTJ器件的输入端连接并引出电压输出端，MTJ器件的输出端通过模拟开关与地或电路连接，PMOS器件的漏极与栅极短接。还可以包括运算放大器，运算放大器的负输入端与电压输出端连接，运算放大器的正输入端接入参考电压。该传感器可以和CMOS工艺相兼容，同时可以具备温度检测、过温保护、过流保护等功能。

主权项

一种基于磁隧道结器件的温度传感器，其特征在于，包括MTJ器件、PMOS器件和模拟开关，所述PMOS器件的源极接电源，漏极与所述MTJ器件的输入端连接并引出电压输出端，所述MTJ器件的输出端通过所述模拟开关与地或电路连接，所述PMOS器件的漏极与栅极短接。