| 发明名称 | 高速低噪声半导体器件结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种高速低噪声半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：衬底；形成在所述衬底之上的弛豫SiGe过渡层；形成在弛豫SiGe过渡层之上的高Ge组分应变层，其中，所述高Ge组分应变层具有凹槽；形成在所述高Ge组分应变层之上的应变Si-C合金帽层；形成在所述应变Si-C合金帽层的一部分之上，且覆盖所述凹槽的T型栅结构；以及形成在所述T型栅结构两侧的源漏极。本发明实施例的PMOS与NMOS器件结构中，通过在高Ge组分应变SiGe或应变Ge层上下设置的两个低Ge组分应变SiGe层或应变Si-C合金层，可以在高Ge组分应变SiGe或应变Ge层中产生空穴势阱，从而可以提高空穴和电子的迁移率，极大地改善器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102148250A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201110003095.9 | 申请日期 | 2011.01.07 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 梁仁荣;王敬;许军 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种高速低噪声半导体器件结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的弛豫SiGe过渡层；形成在弛豫SiGe过渡层之上的高Ge组分应变层，其中，所述高Ge组分应变层具有凹槽；形成在所述高Ge组分应变层之上的应变Si‑C合金帽层；形成在所述应变Si‑C合金帽层的一部分之上，且覆盖所述凹槽的T型栅结构；以及形成在所述T型栅结构两侧的源漏极。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||