| 发明名称 | 一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统 | ||
| 摘要 | 本发明是一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统，其特征是铝镓氮(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)源电极16和漏电极17所采用的欧姆接触系统为Ti/Al/Ni/Mo/Au。优点：它可同时满足高性能AlGaN/GaN HEMT所需的具有小的欧姆接触电阻率、良好的表面平整度和高可靠度。实施例1中在N2等惰性气体保护下通过高温热退火后才能与AlGaN层13形成良好的欧姆接触，实施例2通过在Ti金属层29可以解决Mo金属层28与Au金属层30黏附性较差的问题，从而满足某些场合下对于欧姆接触最上层金属Au厚度要求较厚的情况。 | ||
| 申请公布号 | CN102148154A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201010600790.9 | 申请日期 | 2010.12.21 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 任春江;陈堂胜 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;B32B15/01(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水 |
| 主权项 | 一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统，其特征是铝镓氮(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)源电极16和漏电极17所采用的欧姆接触系统为Ti/Al/Ni/Mo/Au。 | ||
| 地址 | 210016 江苏省南京市中山东路524号 | ||