半导体装置和积体集成电路装置的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置和集成电路装置的制造方法，该方法包括：提供一基板；形成一高介电常数介电层于基板上；形成一第一顶盖层于高介电常数介电层上；形成一第二顶盖层于第一顶盖层上，其中第二顶盖层与第一顶盖层不同；形成一虚置栅极层于第二顶盖层上；实施一图案化工艺以形成一栅极堆叠，其包括高介电常数介电层、第一和第二顶盖层、和虚置栅极层；从栅极堆叠移除虚置栅极层，因而形成一开口露出所述第二顶盖层；以及将一第一金属和一第二金属填入所述开口中，所述第一金属位于露出的第二顶盖层上，第二金属位于第一金属上，其中第一金属层与第二金属层不同，且具有适合于所述半导体装置的功函数。本发明可消除填隙问题。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：提供一基板；形成一高介电常数介电层于该基板上；形成一第一顶盖层于该高介电常数介电层上；形成一第二顶盖层于该第一顶盖层上，其中该第二顶盖层不同于该第一顶盖层；形成一虚置栅极层于该第二顶盖层上；实施一图案化工艺以形成一栅极堆叠，其包括该高介电常数介电层、该第一和第二顶盖层、和该虚置栅极层；从该栅极堆叠移除该虚置栅极层，因而形成一开口露出该第二顶盖层；以及将一第一金属和一第二金属填入该开口中，该第一金属位于露出的第二顶盖层上，该第二金属位于该第一金属上，其中该第一金属层与该第二金属层不同，且具有适于该半导体装置的功函数。