发明名称 光电转换器件及其制造方法、电子设备
摘要 本发明提供了一种光电转换器件及其制造方法,在这种光电转换器件中,多孔光电极免受电解质的溶解,可以充分获得表面等离子体共振效应,并且可以获得大幅改善的光电转换效率。具体地,本发明公开了如下光电转换器件,该光电转换器件具有电解质层(6)填充在都形成在透明基板(1)上的多孔光电极(3)和对电极(4)之间的结构,其中所述多孔光电极(3)包含金属/金属氧化物微粒(7),每个所述微粒由含有金属的核和含有金属氧化物并围绕所述核的壳组成;本发明还公开了染料增感型光电转换器件,其包含多孔光电极(3)和吸附在所述多孔光电极(3)表面上的增感染料(8)。
申请公布号 CN102150322A 申请公布日期 2011.08.10
申请号 CN201080002597.3 申请日期 2010.06.25
申请人 索尼公司 发明人 高田晴美;折桥正树;米屋丽子;诸冈正浩;一色裕介;铃木祐辅
分类号 H01M14/00(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I 主分类号 H01M14/00(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 肖善强
主权项 一种光电转换器件,其包含由微粒构成的多孔光电极,所述微粒包含金属的核和围绕所述核并由金属氧化物制成的壳。
地址 日本东京都