| 发明名称 | 蚀刻方法及蚀刻装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种蚀刻方法，使用如下装置，该装置具备通过等离子体激发蚀刻气体的腔、配置在上述腔内的用于载置并加热被处理基板的台、和配置在上述台的周围的由耐蚀刻材料形成的框部件，上述框部件的上表面与上述台的上表面相比配置在下方，在上述台的上表面配置上述被处理基板以使上述被处理基板的周缘部在上述框部件的上方露出，在从上述框部件的上表面到上述被处理基板底面的高度为G，从上述台的侧面到上述被处理基板外周的露出长度为H时，配置上述被处理基板以使H/G为1.5以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101681829B | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN200880012237.4 | 申请日期 | 2008.06.19 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 小风丰;远藤光广;植田昌久;邹红罡;宫崎俊也;中村敏幸 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王琦;王珍仙 |
| 主权项 | 一种蚀刻方法，使用如下装置，该装置具备：通过等离子体激发蚀刻气体的腔、配置在所述腔内的用于载置并加热被处理基板的台、和配置在所述台的周围的由耐蚀刻材料形成的框部件，所述框部件的上表面与所述台的上表面相比配置在下方，所述蚀刻方法的特征在于，在所述台的上表面配置所述被处理基板以使所述被处理基板的周缘部在所述框部件的上方露出，在从所述框部件的上表面到所述被处理基板的底面的高度为G，从所述台的侧面到所述被处理基板的外周的露出长度为H时，配置所述被处理基板以使H/G为1.67～28.3。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||