发明名称 内置皮法级电容间歇式微电流秒级时延电路
摘要 一种内置皮法级电容间歇式微电流秒级时延电路,设有包括镜像电流源、开关管、电容充电电路、窄脉冲产生电路、输出电路,镜像电流源的输出端及窄脉冲产生电路的输出端分别与开关管的两个输入端连接,开关管的输出端与电容充电电路的输入端连接,电容充电电路的输出端与输出电路的输入端连接,输出电路的输出端接后续信号处理电路;由镜像电流源产生微小电流经开关管向电容充电时,通过窄脉冲信号控制开关管的通、断,实现微小电流对电容的间歇式充电,以延长充电时间、减少集成电路中内置的电容值,电容充电电路输出电压值达到设定值后,通过输出电路将模拟信号转变为数字信号提供给后续信号处理电路。
申请公布号 CN101764596B 申请公布日期 2011.08.10
申请号 CN200910262850.8 申请日期 2009.12.11
申请人 东南大学 发明人 夏晓娟;杨淼;孙大有;孙伟锋;陆生礼;时龙兴
分类号 H03K17/288(2006.01)I 主分类号 H03K17/288(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 奚幼坚
主权项 一种内置皮法级电容间歇式微电流秒级时延电路,其特征在于:设有包括镜像电流源、开关管、电容充电电路、窄脉冲产生电路、输出电路,镜像电流源包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管及一个偏置电阻,第一NMOS管和第二NMOS管构成第一级镜像电流源,第一PMOS管和第二PMOS管构成第二级镜像电流源,偏置电阻为两级镜像电流源共用;第一NMOS管和第二NMOS管的源极均连接电源地,第一NMOS管和第二NMOS管的栅极连接在一起并与第一NMOS管的漏极相连接后再与偏置电阻的一端相连接,偏置电阻的另一端接电源;第二NMOS管的漏极与第一PMOS管和第二PMOS管的栅极共连端以及第一PMOS管的漏极连接在一起,第一PMOS管的源极接电源;第二PMOS管的源极亦接电源,第二PMOS管的漏极作为镜像电流源的输出端;将第二NMOS管的宽长比在第一NMOS管的宽长比基础上缩小一定倍数,将第二PMOS管的宽长比在第一PMOS管的宽长比基础上缩小一定倍数;镜像电流源的输出端及窄脉冲产生电路的输出端分别与开关管的两个输入端连接,开关管的输出端与电容充电电路的输入端连接,电容充电电路的输出端与输出电路的输入端连接,输出电路的输出端接后续信号处理电路;由镜像电流源产生微小电流经开关管向电容充电时,通过窄脉冲信号控制开关管的通、断,实现微小电流对电容的间歇式充电,以延长充电时间、减少集成电路中内置的电容值,电容充电电路输出电压值达到设定值后,通过输出电路将模拟信号转变为数字信号提供给后续信号处理电路。
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