一种去除开尔文通孔的蚀刻残余物的方法

摘要

本发明提供一种去除开尔文通孔的蚀刻残余物的方法，属于半导体集成电路芯片制造工艺领域。本发明方法是在介质层蚀刻开尔文(Kelvin)通孔的制程结束后，在上部金属互连层形成之前，首先使用有机化学品ST250去除Kelvin通孔的蚀刻残余物；然后使用浓度合适的稀氢氟酸溶液去除Kelvin通孔的部分介质层等离子体损伤，以将Kelvin通孔内径修正到符合关键尺寸的标准。本发明方法可以彻底去除残留在Kelvin通孔内壁及其衬底和表面的残余物。本发明方法简单易行，极大地提高了Kelvin通孔处蚀刻残余物的去除能力。

主权项

一种去除开尔文通孔的蚀刻残余物的方法，包括：第一步ST250处理阶段，其用有机化学品ST250溶液去除开尔文通孔的蚀刻残余物，所述有机化学品ST250溶液是用水稀释的原ST250溶液，原ST250溶液占所述有机化学品ST250溶液的体积百分比为58％‑62％，所述处理阶段的处理条件为：处理时间为60‑90秒，处理温度为38℃‑42℃；第二步稀氢氟酸溶液处理阶段，使用稀氢氟酸溶液去除开尔文通孔部分介质层的等离子体损伤，以修正开尔文通孔的关键尺寸，其中，所述稀氢氟酸溶液是用水将氢氟酸溶液稀释而成，所述氢氟酸溶液与水的稀释体积比为1∶250至1∶500，所述处理阶段的处理条件为：处理时间为20‑40秒，处理温度为室温。