发明名称 |
一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法 |
摘要 |
本发明涉及65纳米集成电路的制造工艺和版图设计技术领域,公开了一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正(OPC)方法。该方法通过将层次化设计的概念引入到全芯片OPC修正过程中,将所有标准单元图形规则化,并在标准单元库构建的过程中对标准单元进行OPC,当全芯片版图得到以后,将其中的标准单元部分用OPC修正过的单元代替,从而不必再做全芯片打平方式的OPC,极大的降低了掩模数据存储量,有利于光刻分辨率增强,从而降低了生产误差,提高了芯片生产效率。 |
申请公布号 |
CN102147567A |
申请公布日期 |
2011.08.10 |
申请号 |
CN201110082471.8 |
申请日期 |
2011.04.01 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
罗海燕;陈岚;尹明会;赵劼 |
分类号 |
G03F1/14(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/14(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法,其特征在于,该方法是在标准单元库构建的过程中对标准单元进行光学邻近效应校正,当得到电路的原始版图时,将原始版图中的标准单元部分用相应的进行了光学邻近效应校正的标准单元代替,得到最终制造掩模的版图数据。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |