自对准电荷平衡的功率双扩散金属氧化物半导体制备方法

摘要

本发明提出了自对准电荷平衡的半导体器件以及制备这种器件的方法。一个或多个平面栅极形成在第一导电类型的半导体衬底上方。刻蚀半导体中的一个或多个深沟槽，自对准到平面栅极。用第二导电类型的半导体材料填充沟槽，使深沟槽与半导体衬底的邻近区域达到电荷平衡。该工艺可以制备单元间距小于12微米的自对准电荷平衡的器件。

主权项

一种用于制备自对准电荷平衡的半导体器件的方法，其特征在于，该方法包含：a在第一导电类型的半导体衬底上方，制备一个或多个平面栅极；b在半导体中刻蚀一个或多个深沟槽，自对准到平面栅极上；c用第二导电类型的半导体材料填充所述的深沟槽，使深沟槽与半导体衬底的邻近区域达到电荷平衡。