发明名称 |
掺杂稀土金属氧化物的复合介电材料及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种掺杂稀土金属氧化物的复合介电材料及其制造方法,其复合介电材料掺杂有稀土金属氧化物纳米粒子,所述纳米粒子嵌于二氧化硅玻璃基材内,且所述稀土金属氧化物纳米粒子与二氧化硅的玻璃复合物是由溶胶—凝胶法加以合成制备。所述玻璃复合物的介电值明显高于纯稀土金属氧化物的介电值。在磁场作用下,所述玻璃复合物的介电值有显著的提升。 |
申请公布号 |
CN102148238A |
申请公布日期 |
2011.08.10 |
申请号 |
CN201010591461.2 |
申请日期 |
2010.12.09 |
申请人 |
中山大学 |
发明人 |
杨弘敦;马书第;陈庆轩 |
分类号 |
H01L29/51(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L29/51(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
翟羽 |
主权项 |
一种掺杂稀土金属氧化物的复合介电材料,其特征在于:所述复合介电材料包含:一基材及复数个纳米粒子,其中所述基材包含二氧化硅,且所述纳米粒子至少包含稀土金属氧化物,其中所述纳米粒子的粒径介于2至10纳米之间。 |
地址 |
中国台湾高雄市鼓山区莲海路70号 |