一种四氧化三钴花瓣状二维曲面纳米结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种大面积高密度四氧化三钴花瓣状二维曲面纳米结构的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法具体包括：在纯氧气氛中，将钴片放置于管式炉中进行热处理，并在氧气氛中通入适量水蒸气，水蒸气可通过加热水而获得，其水的加热温度控制在30～90℃。本发明所制备的密集分布的四氧化三钴花瓣状二维曲面纳米结构，厚度大约为100nm左右，宽度大约为200～500nm左右，长度在1～3μm之间。本发明可以实现大面积制备四氧化三钴，可提高其催化性能；尤其在锂离子电池领域，由于四氧化三钴样品与电解液接触面积更大，故在提高锂离子电池性能方面具有潜在的应用前景。另外，本发明所用设备和工艺较为简单、成本低廉。

主权项

一种四氧化三钴花瓣状二维曲面纳米结构的制备方法，具体包括如下步骤：在纯氧气氛中，将钴片放置于加热容器中进行热处理，所述纯氧，是指纯度为99.9％的商用纯氧，在该气氛中，含有通过加热水而补充入气路的水蒸气，加热水的温度为30～90℃。