高功率芯片封装构造的导线架及其制造方法

摘要

本发明公开一种高功率芯片封装构造的导线架及其制造方法，所述导线架的一芯片承座具有至少为0.5毫米的厚度，以提供足够的吸热效能及散热效率。所述芯片承座上也设有一容置空间以容置一黏着层，且所述容置空间的内底部具有数个凸块，用以防止一高功率芯片的下表面倾斜及容置空间内黏着材料溢出，以维持所述高功率芯片的水平度，并同时有效的均匀控制所述黏着层的黏着厚度。因而，有利于保持所述黏着层的热能传导均一性，进而相对提高所述高功率芯片封装构造的可靠度及使用寿命。

主权项

一种高功率芯片封装构造的导线架，其特征在于：所述导线架包含：一芯片承座，具有一上表面及一下表面，所述上表面到下表面之间的厚度至少为0.5毫米，所述上表面形成一容置空间，用以容置一粘着层，其中所述容置空间的一内底面另设有数个凸块；以及数个接点，环绕排列于所述芯片承座的周围。