| 发明名称 | 用于片上电容器的凸块底部金属化 | ||
| 摘要 | 本发明揭露各种片上电容器以及其制造方法。在其中一个态样中，提供一种制造电容器的方法，包括形成第一导体结构在半导体芯片上并形成钝化结构在该第一导体结构上。形成凸块底部金属化结构在该钝化结构上。该凸块底部金属化结构与该第一导体结构的至少一部分重叠，从而提供该电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN102150228A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN200980135825.1 | 申请日期 | 2009.07.23 |
| 申请人 | ATI技术无限责任公司 | 发明人 | N·麦克莱伦;F·郭;D·钟;T·张 |
| 分类号 | H01G13/00(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I | 主分类号 | H01G13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种制造电容器的方法，包括：形成第一导体结构在半导体芯片上；形成钝化结构在该第一导体结构上；以及形成凸块底部金属化结构在该钝化结构上，该凸块底部金属化结构与该第一导体结构的至少一部分重叠。 | ||
| 地址 | 加拿大安大略省 | ||