发明名称 一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法
摘要 本发明涉及一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架,工件托架安装在真空室内部,其特征在于:包括如下步骤:(1)、将陶瓷阀芯在酒精、丙酮溶液中进行超声清洗,干燥后,悬挂固定于工件托架上,使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围;(2)、在磁控溅射源上安装由过渡金属制成的金属靶,对陶瓷阀芯进行离子轰击;(3)、开启磁控溅射源电源,对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积;(4)、启动线性离子源,对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积;(5)、对陶瓷阀芯进行第三层薄膜沉积。本发明通过对陶瓷阀芯进行三层防护薄膜沉积,可以极大幅度地提高陶瓷阀芯的耐磨密封性能和使用寿命。
申请公布号 CN101550539B 申请公布日期 2011.08.10
申请号 CN200910098711.6 申请日期 2009.05.14
申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明人 汪爱英;孙丽丽;代伟;吴国松
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人 袁忠卫
主权项 一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架,工件托架安装在真空室内部,其特征在于:包括如下步骤:(1)、将陶瓷阀芯先在丙酮溶液中进行超声清洗,再在酒精溶液中进行超声清洗,干燥后,悬挂固定于工件托架上,使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围;(2)、在磁控溅射源上安装由过渡金属制成的金属靶,将真空室抽真空至小于2.0×10‑5Torr后,通入惰性气体,开启线性离子源,调整陶瓷阀芯的负偏压为0~300V,对陶瓷阀芯进行离子轰击,工作时间为5~40分钟后,关闭线性离子源;(3)、对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积,调整陶瓷阀芯的负偏压为‑50~‑200V,开启磁控溅射源电源,调整磁控溅射源的工作电流为2~3A,通入惰性气体,工作时间为:10~15分钟;(4)、对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积,保持步骤(3)中的工作条件不变,立刻启动线性离子源,调整线性离子源的工作电流为0.1~0.2A;同时通入含碳气源,工作时间为10~15分钟;(5)、对陶瓷阀芯进行第三层薄膜沉积,设置线性离子源的工作电流为0.1~0.2A,线性离子源的工作电压为:1000~1300V,调整陶瓷阀芯的负偏压为‑50~‑200V,工作时间为:60~100分钟。
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