发明名称 |
光电元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开光电半导体元件及其制造方法,该光电半导体元件包括:基板;第一窗口层形成于所述的基板,具有第一片电阻值,第一厚度及第一杂质浓度;第二窗口层,具有第二片电阻值,第二厚度及第二杂质浓度;半导体系统形成于所述的第一窗口层及所述的第二窗口层之间;其中所述的第二窗口层和所述的半导体系统为不同的半导体材料;所述的第二片电阻值低于所述的第一片电阻值。 |
申请公布号 |
CN102148301A |
申请公布日期 |
2011.08.10 |
申请号 |
CN201110034959.3 |
申请日期 |
2011.02.09 |
申请人 |
晶元光电股份有限公司 |
发明人 |
陈世益;许嘉良;徐子杰;吴俊毅;黄建富 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种光电半导体元件,包括:基板;第一窗口层,形成于该基板,具有第一片电阻值、第一厚度及第一杂质浓度;第二窗口层,具有第二片电阻值、第二厚度及第二杂质浓度;半导体系统,形成于该第一窗口层及该第二窗口层之间;其中该第二窗口层和该半导体系统包括不同的半导体材料;该第二片电阻值低于该第一片电阻值;该第二厚度大于该第一厚度。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |