发明名称 | 光子隧穿发光二极管和方法 | ||
摘要 | 这里描述的实施例包括促进光子隧穿的LED。LED器件的一个实施例可以具有适于产生具有波长的光的量子阱层、在该量子阱层的第一侧的p掺杂合金层和在该量子阱层的另一侧的n掺杂合金层。该器件还可以包括与p掺杂合金层电连接的电极和与n掺杂合金层电连接的电极。根据一个实施例,该n掺杂合金层的厚度比由该量子阱层产生的光的波长小,以使得由该量子阱层产生的光能够隧穿到介质(例如,空气)。在另一个实施例中,整个层结构可以具有比该波长小的厚度。 | ||
申请公布号 | CN102150285A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
申请号 | CN200980135660.8 | 申请日期 | 2009.07.28 |
申请人 | 伊鲁米特克有限公司 | 发明人 | D·T·董;W·G·弗里恩 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杨国权 |
主权项 | 一种LED器件,包括:LED层结构,包括适于产生具有波长的光的量子阱层、在该量子阱层的第一侧的p掺杂合金层、在该量子阱层的与该第一侧相对的第二侧且在该量子阱层和介质之间的n掺杂合金层;与该p掺杂合金层电连接的电极;与该n掺杂合金层电连接的电极;其中该n掺杂合金层的厚度比该波长薄,以使得由该量子阱层产生的光能够隧穿到该介质。 | ||
地址 | 美国得克萨斯 |