| 发明名称 | DDR型沸石膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种DDR型沸石膜的制造方法，其为将多孔基体浸渍于包含了1-金刚烷胺、二氧化硅和水的原料溶液中，在存在DDR型沸石晶种(晶种)的情况下，水热合成DDR型沸石，由此在多孔基材表面形成DDR型沸石膜的方法，其中，1-金刚烷胺和二氧化硅的含有比例(1-金刚烷胺/二氧化硅)为0.002至0.4摩尔比，而水和二氧化硅的含有比例(水/二氧化硅)为10至500摩尔比，晶种的平均粒径为300nm以下。本发明提供了一种DDR型沸石膜的制造方法，其能够稳定地制造膜厚均匀、薄且气体透过量高的DDR型沸石膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101400605B | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN200780008881.X | 申请日期 | 2007.02.15 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 谷岛健二;中山邦雄 |
| 分类号 | C01B39/04(2006.01)I;B01D69/04(2006.01)I;B01D69/06(2006.01)I;B01D69/12(2006.01)I;B01D71/02(2006.01)I | 主分类号 | C01B39/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种DDR型沸石膜的制造方法，其为将多孔基体浸渍于含有1‑金刚烷胺、二氧化硅和水的原料溶液中，在存在DDR型沸石晶种的情况下，水热合成DDR型沸石，在所述多孔基体的表面形成DDR型沸石膜的方法，其特征在于，所述1‑金刚烷胺和所述二氧化硅的含有比例(1‑金刚烷胺/二氧化硅)为0.002以上、小于0.03摩尔比，所述水和所述二氧化硅的含有比例(水/二氧化硅)为10～500摩尔比，所述晶种的平均粒径为300nm以下。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||