半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件。N阱的每一个与隐埋P阱接触的区域的宽度不大于2μm。地电压和电源电压被分别施加给P阱和N阱。去耦电容器被形成在N阱与隐埋P阱之间。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的第一导电类型的隐埋阱；以及在所述第一导电类型的所述隐埋阱上形成的并且彼此相邻地交替布置的多个所述第一导电类型的阱和多个第二导电类型的阱，所述第一导电类型的所述多个阱和所述第二导电类型的所述多个阱与所述第一导电类型的所述隐埋阱相接触，并且所述第一导电类型的所述多个阱中的每个阱和与其相邻的所述第二导电类型的所述多个阱中的每个阱相接触，其中，所述第二导电类型的所述各阱的每一个阱与所述第一导电类型的所述隐埋阱相接触的区域的宽度不大于2μm，地电压和电源电压被分别施加给所述第一导电类型的所述各阱和所述第二导电类型的所述各阱，并且去耦电容器被形成在所述第二导电类型的所述各阱和所述第一导电类型的所述隐埋阱之间。