发明名称 |
一种非带隙电压基准源 |
摘要 |
本发明公开了一种非带隙电压基准源。本发明的基准电压源,采用Vtn提取电路和Vtp提取电路分别提取正比于Vtn的电流和正比于Vtp的电流,通过两股电流在电流模基准电路上进行线性叠加,实现了Vtn和Vtp的相互补偿,进而产生零温度系数的基准电压。本发明利用PMOS和NMOS阈值电压的线性化,得到零温度系数的电压基准,使得基准电压源克服了传统基准源中VBE非线性温度的影响。 |
申请公布号 |
CN102147631A |
申请公布日期 |
2011.08.10 |
申请号 |
CN201110120552.2 |
申请日期 |
2011.05.11 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
周泽坤;朱培生;王会影;石跃;明鑫;张波 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
周永宏 |
主权项 |
一种非带隙电压基准源,其特征在于,包括第一启动电路、第二启动电路、Vtn提取电路、Vtp提取电路和电流模基准电路,其中,所述的第一启动电路用于使Vtp提取电路正常工作,所述的第二启动电路用于使Vtn提取电路正常工作,所述Vtn提取电路用于提取正比于Vtn的电流,所述Vtp提取电路用于提取正比于Vtp的电流,所述电流模基准电路用于镜像正比于Vtn和Vtp的电流,产生基准电压。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |